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» 型号"BG 3430R H6327"的供应信息
BG 3430R H6327 全国供应商、价格、PDF资料
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BG 3430R H6327详细规格
类别:RF FET
描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶体管类型:2 N-通道(双)
频率:800MHz
增益:25dB
电压_测试:5V
额定电流:25mA
噪音数据:1.3dB
电流_测试:14mA
功率_输出:-
电压_额定:8V
封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:PG-SOT363-6
包装:带卷 (TR)
BG 3430R H6327供应商
BG 3430R H6327
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
BG 3430R H6327
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多BG 3430R H6327的供应商
74AUP1G332GM,115
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC 3-IN OR GATE LP 6-XSON
BD5426EFS-E2
线性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 44-VSOP(0.295",7.50mm 宽) IC AMP AUDIO PWR 10W D 44TSSOP
BG 3130 E6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
C0603C181K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 180PF 50V 10% X7R 0603
BC51PA,115
其它 NXP Semiconductors 0603(1608 公制) TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061
C1608X6S1V105M
陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 1UF 35V 20% X6S 0603
BAS70-7
单二极管/整流器 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
B82422T1122K
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 1.2UH 10%
74AUP1G34FW4-7
逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Diodes Inc 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC GATE BUFFER SGL DFN1010-6
C0603C181K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 180PF 50V 10% X7R 0603
BC52-10PA,115
其它 NXP Semiconductors TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT1061
C1608X6S1V224K
陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.22UF 35V 10% X6S 0603
BAS70-7
单二极管/整流器 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
BG 5120K H6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
BD6042GUL-E2
PMIC - 电源管理 - 专用 Rohm Semiconductor 9-UFBGA,WLCSP IC CHARGE PROTECTION 9-VCSP50L1
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